2016年8月16日，2014年诺贝尔物理学奖获得者、美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二访问武汉未来科技城，并受聘武汉未来科技城光电子产业领域首席科学顾问。
中村修二教授参观了武汉未来科技城展厅，了解近五年未来科技城的建设成果，与武汉光电工业技术研究院副总经理张杰、武汉飞恩微电子有限公司总经理刘胜、武汉米字能源科技公司总经理胡雪蛟、武汉虹拓新技术有限责任公司副总经理祁斌等企业代表深入交流，并到企业实地考察。
武汉未来科技城建设管理办公室副主任陈华奋指出，将光谷打造国际面板基地的构想是光谷“走出去”的强信号，但当前人才集聚是短板，因此，需要拓宽交流合作渠道、探索高效长效合作模式，通过“离岸创业中心”和“城市合伙人”共享发展收益。
中村教授指出，如果OLED技术是发展，那么Micro LED技术将会是飞跃，特别是具有高照度、低能耗和超高解析等优异特性的Micro LED将会成为未来发展趋势。下一步，中村教授的团队将加大与未来科技城企业的交流与合作，共同推进未来科技城面板产业的发展。
信息链接：
中村修二，美籍日裔科学家，1989年，中村教授开始研究基于三族氮材料的蓝光LED。由于在蓝光LED方面的杰出成就，中村教授获得了包括仁科纪念奖、IEEE Jack A.莫顿奖，英国顶级科学奖、富兰克林奖章等一系列荣誉。2000年，中村教授加入加州大学圣芭芭拉分校。2003年中村教授入选美国国家工程院院士，2006年获得千禧技术奖。中村教授获得100多项专利，并发表了200多篇论文。2014年，中村修二和赤崎勇、天野浩因发现新型节能光源而获得该年度诺贝尔物理学奖。